Xác suất của tán xạ không đàn hồi của điện tử phụ thuộc vào năng lượng của electron tới, thường nhỏ hơn so với tán xạ đàn hồi. Do đó trong trường hợp nhiễu xạ electron khí (gas electron diffraction), nhiễu xạ electron năng lượng cao phản xạ (RHEED, reflection high-energy electron diffraction) và nhiễu xạ electron truyền qua, do năng lượng của electron tới là cao, lượng tán xạ điện tử không đàn hồi có thể bị bỏ qua [3]. Sự tán xạ không đàn hồi sâu (Deep inelastic scattering) của các điện tử từ proton cung cấp bằng chứng trực tiếp đầu tiên cho sự tồn tại của các quark [4][5].